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Cassification
更新時(shí)間：2024-08-30 
瀏覽次數(shù)：1425小王子分享ALD設(shè)備原理
ALD設(shè)備配備有不銹鋼或鋁制成的真空室，由原料氣體供給部分、排出原料氣體的排氣部分以及控制過(guò)程的控制單元組成。
充當(dāng)前體的有機(jī)金屬材料稱為前體。首先，將前體引入真空室并吸附到基板的表面上。之后，將室抽真空一次以去除多余的前驅(qū)體，然后氧化和氮化以形成薄膜。
一個(gè)原子層在一個(gè)循環(huán)中形成，并且可以通過(guò)多次重復(fù)該循環(huán)來(lái)沉積薄膜。由于膜厚根據(jù)循環(huán)次數(shù)而變化，因此具有膜厚控制性高的特點(diǎn)。吹掃工藝在ALD成膜過(guò)程中也非常重要，因?yàn)榍皇抑袣埩舻牟煌膀?qū)體和氧化源會(huì)對(duì)薄膜質(zhì)量產(chǎn)生負(fù)面影響。
為了提高沉積效率，可以加熱基底或等離子體輔助基底。加熱法稱為熱ALD，等離子體輔助法稱為等離子體ALD。
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